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型号： QS6M4TR
描述： 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.5 A, 20 V, 0.36 ohm, 4.5 V, 1.5 V
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封 装： TSOT-23-6
货 期：
包装方式： Tape & Reel (TR)
标准包装数： 1
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技术参数/额定电流: 1.50 A

技术参数/针脚数: 6

技术参数/漏源极电阻: 0.36 Ω

技术参数/极性: N-Channel, P-Channel

技术参数/耗散功率: 1.25 W

技术参数/阈值电压: 1.5 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 30V, 20V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.50 A

技术参数/上升时间: 12.0 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 80pF @10V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 1.25 W

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 1250 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 6

封装参数/封装: TSOT-23-6

外形尺寸/高度: 0.95 mm

外形尺寸/封装: TSOT-23-6

物理参数/材质: Silicon

物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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