技术参数/频率: 40 MHz
技术参数/额定电压(DC): -50.0 V
技术参数/额定电流: -50.0 mA
技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/增益频宽积: 40 MHz
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 250 @100μA, 5V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 800
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 2.92 mm
外形尺寸/宽度: 1.3 mm
外形尺寸/高度: 0.93 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/材质: Silicon
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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![]() |
Samsung (三星) | 功能相似 | SOT-23 |
低噪声晶体管 Low Noise Transistor
|
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![]() |
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBT5087LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFE
|
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